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[发明专利]一种制作纳米间隙和纳米间隙传感器的方法-CN200680011497.0有效
发明人：郑凤铉;金常圭;朴惠贞 -专利权人：韩国生命工学研究院
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明涉及一种制作纳米间隙和纳米间隙传感器的方法，和用这种方法制作的纳米间隙和纳米间隙传感器。本发明涉及的这种制作纳米间隙和纳米间隙传感器的方法，能够通过运用了半导体制造工艺的各向异性刻蚀实现。通过本发明中的方法，纳米间隙和纳米间隙传感器能够被简单和廉价地大量生产。
一种制作纳米间隙传感器方法

[发明专利]纳米间隙电极对及其制造方法-CN201480062805.7在审
发明人：池田修二;马克·奥尔德姆;埃里克·S·诺德曼 -专利权人：量子生物有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：用于检测生物分子的系统包括纳米间隙电极装置，纳米间隙电极装置包含第一电极和相邻于该第一电极的第二电极。第一电极与第二电极可由纳米间隙分离，纳米间隙被定尺寸成允许生物分子流动通过纳米间隙。纳米间隙可至少具有第一间隙区域和第二间隙区域。第二间隙区域可相对于具有第一间隙区域的平面以大于0°的角度定向。系统可进一步包含联接至纳米间隙电极装置的电路。当生物分子流动通过纳米间隙时，电路可从第一电极和第二电极接收电信号。
纳米间隙电极及其制造方法

[发明专利]一种纳米间隙电极的制备方法-CN200710062832.6无效
发明人：刘云圻;魏大程;曹灵超;李祥龙;王钰;张洪亮;石大川;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种纳米间隙电极制备方法，步骤如下：在不受电子束破坏的纳米材料上制备具有较大间隙的电极对；在电极对的表面吸附电子束诱导沉积的原料分子；将电子束聚焦在电极对的间隙区域；当电极间隙达到所需的宽度时，停止电子束照射，制备得到纳米间隙电极。本发明与传统的方法相比，可以在制备过程中原位观察电极间隙，从而可以精确控制纳米间隙电极的间隙。同时操作方便，简易可行，成功率高，有利于提高纳米间隙电极的制备效率，制备的纳米间隙电极的间隙范围很大，可以为2纳米至100纳米，这对于纳米以及分子器件的制备和应用有非常重要的意义。
一种纳米间隙电极制备方法

[发明专利]用于固定电极隧穿识别的可制造亚3纳米钯间隙器件-CN201480034641.7有效
发明人：晏·阿施蒂尔;白净卫;迈克尔·A·吉尔洛恩;萨蒂亚沃卢·S·帕帕劳;乔舒亚·T·史密斯 -专利权人：格罗方德半导体有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：提供一种在纳米器件中制造纳米间隙的技术。在晶片上设置氧化物。在氧化物上设置纳米线。施加氦离子束以将纳米线切割成第一纳米线部分和第二纳米线部分，从而在纳米器件中形成纳米间隙。施加氦离子束切割纳米间隙在纳米间隙的至少一个开口附近形成纳米线材料的标志。
用于固定电极识别制造纳米间隙器件

[发明专利]悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法-CN201610191808.1有效
发明人：顾长志;王玉瑾;李俊杰;全保刚 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法，属于纳米间隙领域，其步骤包括在清洗好的硅衬底基片上，沉积预定厚度的氮化硅薄膜；旋涂光刻胶，采用电子束曝光方法在所述光刻胶上制备具有预定图形的纳米桥结构；采用反应离子刻蚀方法将所述图形转移至所述氮化硅薄膜上，得到纳米间隙对结构；采用湿法腐蚀方法部分去除所述纳米间隙对结构下的硅，得到悬浮的纳米间隙对结构；采用镀膜方法在所述悬浮的纳米间隙对结构上沉积一层金属薄膜，从而获得悬浮金属纳米间隙对结构。本发明提供的一种新的悬浮金属纳米间隙对结构的制备方法，可以获得可重复性好、稳定性好的悬浮金属纳米间隙对结构。
悬浮金属纳米间隙结构制备方法

[发明专利]纳米间隙电极、其制造方法以及具有纳米间隙电极的纳米器件-CN201980025414.0在审
发明人：真岛豊;崔伦永;权雅璘 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种纳米间隙电极，包括：第一电极，所述第一电极包括第一电极层和第一金属粒子，所述第一金属粒子配置在第一电极层的一个端部上；以及第二电极，所述第二电极包括第二电极层和第二金属粒子，所述第二金属粒子配置在第二电极层的一个端部上第一金属粒子与第二金属粒子之间具有间隙且第一金属粒子与第二金属粒子相对地配置，第一金属粒子及第二金属粒子的一端至另一端的最大宽度为小于等于10nm，第一金属粒子与第二金属粒子之间的间隙的长度为小于等于10nm
纳米间隙电极制造方法以及具有器件

[发明专利]一种纳米间隙的制备方法-CN201710010578.9在审
发明人：李俊杰;潘如豪;刘哲;全保刚;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米间隙的制备方法，包括如下步骤提供一基底，在基底的表面处施加第一光刻胶层，并得到第一光刻胶图形；按照第一光刻胶图形在基底处沉积第一材料，或者将基底刻蚀预定深度；去除第一光刻胶层，以获得具有第一厚度的第一材料层，或者以获得由基底自身形成的凸起层；以预定入射角度沉积具有第二厚度的第二材料，以在第一材料层和第二材料层之间形成纳米间隙；其中，通过调节第一材料层的第一厚度以及预定入射角度，以改变纳米间隙的尺寸。本发明的制备方法能够使得纳米间隙的间隙尺寸在纳米范围内精确可控，并获得任意需要的间隙尺寸的纳米间隙，尤其可以获得小于5nm的纳米间隙。而且本发明适用于纳米间隙的大面积制备。
一种纳米间隙制备方法

[发明专利]具有选择性表面固定化部位的纳米间隙换能器-CN201180076004.2有效
发明人： G.M.克雷多;O.H.埃利波尔;N.泰比 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G01N33/53 文献下载
摘要：换能器包括以纳米间隙分离的两个电极。提供了接近并且在纳米间隙内的分子结合区。还提供了制造纳米间隙换能器和纳米间隙换能器阵列的方法。可以将单独可寻址的纳米间隙换能器的阵列布置在集成电路芯片上并可操作地耦合到该集成电路芯片。
具有选择性表面固定部位纳米间隙换能器

[发明专利]一种基于纳米间隙电极的柔性pH传感器及制造方法-CN201510039153.1有效
发明人：邵金友;田洪淼;刘璐;赵强;徐川;聂邦邦 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G01N27/06 文献下载
摘要：一种基于纳米间隙电极的柔性pH传感器及制造方法，柔性pH传感器包括柔性衬底，在柔性衬底上旋涂环氧树脂层，在环氧树脂层上制备一对以上的50～500纳米的纳米间隙电极，在每一对纳米间隙电极之间组装羧基功能化单壁碳纳米管，制造方法是先制作羧基功能化单壁碳纳米管悬浮液，然后制备纳米间隙电极，再介电泳组装羧基功能化单壁碳纳米管，最后进行柔性pH传感器预处理，去除与纳米间隙电极连接较弱的羧基功能化单壁碳纳米管并保留与纳米间隙电极强作用的羧基功能化单壁碳纳米管
一种基于纳米间隙电极柔性 ph 传感器制造方法

[发明专利]在纳米孔表面和孔内制备纳米间隙电极的方法-CN201110285898.8有效
发明人：叶晓峰;刘丽萍;吴宏文;孔婧琳;陆祖宏;刘全俊;易红 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明涉及在纳米孔表面和孔内制备纳米间隙电极的方法，可以实现二维双通道同时检测分子过孔的信号变化，提高纳米孔测序的精确度。所述在纳米孔表面制备纳米间隙电极的方法是：在基材表面形成线宽度为微米级金属线，将金属线刻蚀成线宽度为纳米级，然后在对应于纳米级线宽的金属线位置，在基材上刻蚀出贯穿的纳米孔，同时蚀断金属线，从而直接在纳米孔孔口形成表面纳米间隙电极作为本发明的改进，在基材表面形成线宽度为微米级金属线，将金属线刻蚀至线宽度为10-50nm，然后在金属线上刻蚀，形成相对的电极，并在基材上对应于纳米间隙的位置刻蚀出贯穿的纳米孔，最后使金属线向纳米孔边缘生长，从而在纳米孔孔口形成表面纳米间隙电极。
纳米表面制备间隙电极方法

[发明专利]间隙可调的Au层和AgAu层的核与CdS壳的纳米材料及其制备方法和应用-CN201911282383.5有效
发明人：马良;陈相柏 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明属于无机纳米材料技术领域，具体涉及一种间隙可调的Au层和AgAu层的核与CdS壳的核壳纳米材料及其制备方法和应用。本发明提出利用单次或多次循环置换反应的方法，合成具多间隙的Au/AgAu异质纳米晶体，并在其表面原位包裹CdS纳米壳层，制备出纳米间隙可调的(Au/AgAu)@CdS核壳纳米材料。制备出的(Au/AgAu)@CdS，结构稳定、纳米间隙可调、多界面等离激元耦合效应明显、光催化产氢气效率高。
间隙可调 au agau cds 纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有纳米间隙的表面增强拉曼光谱基底及其制备方法-CN201610262311.4有效
发明人：佘广为;金亮亮;师文生 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开一种具有纳米间隙的表面增强拉曼光谱基底及其制备方法。本发明所提供的具有纳米间隙的表面增强拉曼光谱基底由附着在单晶硅片上、表面负载金纳米颗粒的第一层银纳米颗粒和旋涂在第一层银纳米颗粒上的第二层银纳米颗粒构成。通过沉积一定大小和分布的金纳米颗粒，在两层银纳米颗粒之间形成纳米间隙。使用所述的具有纳米间隙的表面增强拉曼光谱基底检测乙醇溶液中的4‑巯基吡啶分子，得到的拉曼光谱信号强度两倍于无金纳米颗粒的基底。本发明提供了一种制造纳米间隙提高表面增强拉曼光谱信号的手段，对制备高性能表面增强拉曼光谱基底具有借鉴意义。
一种具有纳米间隙表面增强光谱基底及其制备方法

[发明专利]一种带有较长纳米间隙的核壳银纳米六角盘材料及其制备方法和应用-CN201710348640.5有效
发明人：姜涛 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C08L53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有较长纳米间隙的核壳银纳米六角盘材料及其制备方法和应用，特点是该核壳纳米材料由银纳米球内核、聚合物中间层和银纳米六角盘壳层组成，其中内核为直径20纳米的银纳米球，中间层为厚度10纳米的聚苯乙烯聚丙烯酸嵌段共聚物层，外壳为具有45‑120纳米长间隙的边长为100‑280纳米的银纳米六角盘，其采用种子诱导法制备的带有较长纳米间隙的核壳银纳米六角盘材料，优点是平整的表面具有一较长纳米间隙，在外来激发光的作用下，间隙内的局域电磁场会受到银表面等离激子体的激发
一种带有纳米间隙核壳银六角材料及其制备方法应用

[发明专利]核壳等离子体纳米间隙的纳米结构材料-CN201780020028.3在审
发明人：段宏伟;周加境 -专利权人：南洋理工大学
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：提供一种核壳等离子体纳米间隙的纳米结构材料。该核壳纳米间隙的纳米结构材料具有核和围绕核的至少一个壳，其中，所述至少一个壳包括包含具有邻苯二酚基团的聚合物的第一层以及包含金属并设置在所述第一层上的第二层，其中所述第一层在所述核壳等离子体纳米结构材料中界定纳米间隙还提供一种制备所述核壳等离子体纳米间隙的纳米结构材料的方法，以及所述核壳等离子体纳米间隙的纳米结构材料的用途。作为一个实施例，共价键合到拉曼探针或荧光探针的聚多巴胺用于制备所述核壳等离子体纳米间隙的纳米结构材料中的壳的第一层，然后金壳沉积到聚多巴胺上以形成壳的第二层。也证明了所述核壳等离子体纳米间隙的纳米结构材料在传感以及治疗诊断学中的潜在应用。
纳米结构材料纳米间隙等离子体核壳第一层聚多巴胺纳米粒子制备金属有机骨架邻苯二酚基团共价键合荧光探针聚合物核材料传感界定金壳探针沉积金属通用诊断治疗应用

[发明专利]一种新型纳米银复合导电薄膜-CN201611093695.8在审
发明人：潘中海;司荣美;刘彩风 -专利权人：天津宝兴威科技股份有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明是一种新型纳米银复合导电薄膜，包括基板，基板上间隔设有若干独立的纳米银电极，相邻纳米银电极之间形成电极间隙，基板上的电极间隙对应位置处分布有光散射粒子，所述光散射粒子为纳米银、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛中一种或者几种，在以上纳米银电极、电极间隙处的光散射粒子层、基板的表层设有石墨烯层。本发明的有益效果是本发明通过在电极间隙对应位置处设置光散射粒子，使得纳米银电极与电极间隙对应位置处雾度差值缩小到合理水平；石墨烯层的设置一方面使纳米银导电薄膜实现满版连续导电，一方面防止纳米银电极脱落、
一种新型纳米复合导电薄膜

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